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                西安紫光國芯總裁任奇偉受邀在IMW 2021(國際存儲器研討會)作專題報告分享

                發布日期:2021/7/5   點擊次數:1665次   作者:管理員

                近期,西安紫光國芯總裁任奇偉受邀參加“2021 IEEE 13th International Memory Workshop(IMW 2021,國際存儲器研討會) ”的線上會議,并作題為《3D Integration Technology for Embedded DRAM》的專題報告分享。


                 任奇偉代表西安紫光國芯在線分享專題報告

                通過對存儲系統的市場需求以及未來發展的深入剖析,任總闡釋了當前熱門的3D集成技術在嵌入式存儲器領域的廣泛應用,并向與會嘉賓重點介紹了公司最新研發世界領先的超大帶寬、超低功耗內嵌存儲器解決方案——異質嵌入式DRAM(SeDRAM)。


                相比傳統的嵌入式SRAM和DRAM存儲器(eSRAM和eDRAM),SeDRAM采用納米級互連技術將DRAM晶圓和不同工藝晶圓在垂直方向上互聯,實現對存儲器的直接訪問;通過定制的DRAM設計支持多種容量(64MB、128MB、256MB到8GB)和多種帶寬;同時為不同的工藝提供標準化接口和測試IP,使SoC能夠方便簡單地集成。


                 SeDRAM技術與傳統集成技術優勢對比

                SeDRAM可實現超大帶寬、超低功耗、超大容量的嵌入式DRAM,在超算、大數據分析、人工智能、智能物聯網等應用領域具有廣闊應用前景。同時,基于SeDRAM技術西安紫光國芯已成功開發多款產品,并成功實現世界首款大規模量產芯片。


                相關技術論文已在2020 IEDM(IEEE InternationalElectron Device Meeting)和2021 CICC(IEEE CustomIntegrated Circuits Conference)上公開發表。 依托開放式、定制化、平臺式的合作模式,西安紫光國芯憑借多年的DRAM開發量產能力和SoC設計服務的能力,將幫助有大帶寬、低功耗、高算力需求的客戶迅速開發產品并推向市場。


                關于IMW

                IMW(International Memory Workshop)是存儲器領域國際頂級的研討會之一,專注于存儲器工藝與設計技術、產業應用、市場需求與市場戰略的研討。IMW由IEEE電子器件協會贊助,每年五月舉辦。IMW發展歷史可追溯到1976年,2008年NVSMW(非易失性半導體存儲器研討會)和ICMTD(國際內存技術與設計會議)走向融合,IMW隨即將易失性和非易失性存儲器納入同一論壇,并將研究范圍從非易失性存儲器技術和設計擴展到其它存儲器技術領域。

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